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Raman Scattering and t-Phase Lattice Vibration of 3% (mole fraction) Y2O3-ZrO2

材料科学技术（英）

关键词:

退火温度和时间对制备多晶硅薄膜的影响

靳瑞敏 , 王玉仓 , 陈兰莉 , 罗鹏辉 , 郭新峰 , 卢景霄

材料导报

通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h.于700℃分别退火5h、7h、10h、13h,于900℃分别退火1h、3h、8h,分别于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光谱和SEM进行对比分析,发现退火温度与退火时间的影响是相互关联的,并且出现一系列晶化效果好的极值点.

关键词: PECVD法 , 非晶硅薄膜 , 多晶硅薄膜 , 二次晶化 , 拉曼光谱 , 扫描电镜

Mn离子注入Mg掺杂Ga N的微结构和光学特性研究?

徐大庆 , 张义门 , 李培咸 , 娄永乐 , 刘树林 , 童军

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.14.003

通过Mn离子注入 Mg 掺杂 GaN 外延层制备了铁磁性 GaN∶Mn 薄膜,利用拉曼散射和光致发光谱研究了退火温度对薄膜微结构和光学特性的影响。拉曼谱测试显示由离子注入相关缺陷引起了新的声子模,分析认为Mn离子相关的局域振动(LVM)紧邻 Ehigh2峰。光致发光谱观察到位于1．69,2．54和2．96 eV的3个新的发光峰,分析认为2．96 eV 的发光峰来自MgGa-VN 复合体深施主能级和 Mg 的浅受主能级之间的辐射复合跃迁,2．54 eV的发光峰来自浅施主能级和深受主能级之间的辐射复合跃迁,对于位于1．69 eV的新发光峰不排除来自MgGa-VN 复合体深施主能级和Mn相关深受主能级之间辐射复合跃迁的贡献。

关键词: GaN , 离子注入 , 拉曼散射 , 光致发光

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/34/4/042001

关键词:

热处理升温快慢对非晶硅中形成的纳米硅粒尺寸的影响

薛清 , 黄远明

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2002.05.014

含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后,我们用拉曼散射和X-射线衍射技术对样品进行分析.我们的实验结果表明:在非晶硅薄膜中形成的纳米硅晶粒的大小随着热退火过程中升温快慢而变化.在升温过程中,当单位时间内温度变化量较大时(～100℃/s),则所形成纳米硅粒较小(～1.6～15 nm);若单位时间内温度变化量较低(～1℃/s),则纳米硅粒较大(～23～46 nm).根据分形生长理论和计算机模拟,我们讨论了升温快慢与所形成的纳米硅颗粒大小的关系.

关键词: 纳米硅 , 拉曼散射 , 快速热退火 , X-射线衍射

基于连续变量的经典-量子信息共信道同传系统拉曼散射影响分析

许振宇 , 李云霞 , 石磊 , 蒙文 , 姬一鸣

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2016.03.011

经典-量子共信道同传是量子保密通信的关键应用技术之一,能够解决量子信息与经典信息需不同光纤分别传输的难点,显著降低应用成本.针对基于波分复用技术的连续变量量子密钥与经典信息同传方案,定量分析了系统拉曼散射噪声特性,在前向和后向两种不同经典信息传输模式下,仿真对比研究了拉曼散射噪声对系统安全密钥率的影响.结果表明:经典信息采用前向传输模式时系统安全密钥率明显大于后向传输模式;在固定信道输入功率时,短距离通信时拉曼散射噪声对安全密钥率的影响较小,随距离增长,拉曼噪声影响不可忽略;固定通信距离时,一定数值范围内的额外噪声对系统的安全密钥率影响较小,通信距离为50 km时,此数值为0.07N0.

关键词: 量子光学 , 连续变量量子密钥分发 , 经典-量子共信道同传 , 拉曼散射

应用拉曼散射研究稀土钴氧化物的晶体结构

王巍然 , 门洪 , 宋更新 , 赵岩 , 韩雪英

人工晶体学报

稀土钴氧化物的磁特性和输运性质强烈依靠稀土离子和它们的精细结构.通过Raman散射研究了稀土离子在两种结构中的作用.当R=La、Ce、Pr、Nd,时,RCoO_3化合物为立方结构(Pm~3m),而对于小离子半径(R=Sm、Eu、Gd和Dy),RCoO_3化合物存在于正交结构中[空间群为Pnma(D_(2h)~(16)),Z=4].按照其晶体结构和Raman行为,将RCoO_3化合物分成三个群体:一组包含La、Ce、Pr、Nd,另一组包含Sm、Eu、Gd、Dy,第三组包含Tm、Yb 、Lu 和Er.

关键词: 拉曼散射 , 晶体结构 , 空间群